The optimization of P-i-N power switching diode in term of reverse breakdown voltage and electrostatic disharge performance/
The research scope in this research is mainly divided into four main stages. The initial stage of this research includes identifying the existing problem of both low range ( < 300 V ) and high range ( > 300 V ) voltage power switching diode. Second stage of the research scope i...
שמור ב:
מחבר ראשי: | See, Jian Hao author |
---|---|
מחבר תאגידי: | Universiti Malaysia Perlis |
פורמט: | Thesis ספר |
שפה: | English |
יצא לאור: |
Perlis, Malaysia
Institute of Nano Electronic Engineering
2017
|
נושאים: | |
תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
פריטים דומים
-
The optimization of P-i-N power switching diode in term of reverse breakdown voltage and electrostatic disharge performance/
מאת: See, Jian Hao author
יצא לאור: (2017) -
On modulation phase efficiency of silicon p-i-n diode optical modulator
יצא לאור: (2010) -
On modulation phase efficiency of silicon p-i-n diode optical modulator
יצא לאור: (2010) -
Investigation of voltage breakdown and capacitance variation in silicon pin diode
מאת: Nor Fareza Kosmani
יצא לאור: (2017) -
Materials science for engineering students /
מאת: Fischer, Traugott
יצא לאור: (2009)