The optimization of P-i-N power switching diode in term of reverse breakdown voltage and electrostatic disharge performance/

The research scope in this research is mainly divided into four main stages. The initial stage of this research includes identifying the existing problem of both low range ( < 300 V ) and high range ( > 300 V ) voltage power switching diode. Second stage of the research scope i...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: See, Jian Hao author
Tác giả của công ty: Universiti Malaysia Perlis
Định dạng: Luận văn Sách
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: Perlis, Malaysia Institute of Nano Electronic Engineering 2017
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Hệ thống đang được bảo trì

Hệ thống quản lý thư viện của chúng tôi hiện đang được bảo trì.

Thông tin về trạng thái tài khoản và mục khả dụng hiện không khả dụng. Vui lòng chấp nhận lời xin lỗi của chúng tôi vì bất kỳ sự bất tiện nào mà điều này có thể gây ra và liên hệ với chúng tôi để được hỗ trợ thêm:

david@pintaran.my