A study of Fowler-Nordheim injection mechanism for engineered tunnel barrier flash memory devices
There are three main components of the project. Firstly, the conventional flash memory is model by using Fowler-Nordheim concept. Then This original model is again modified to perform based on the Engineered Tunnel Barrier (ETB) flash memory. This latter model is then used the calculate the programm...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| সংস্থা লেখক: | |
| বিন্যাস: | গবেষণাপত্র গ্রন্থ |
| ভাষা: | English |
| প্রকাশিত: |
Perlis, Malaysia
School of Microelectronic Engineering, Universiti Malaysia Perlis
2011
|
| বিষয়গুলি: | |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|