Silicon nanowire sensor from electron beam litography : design, fabrication and characterization /
This study demonstrates the process development of silicon nanowires (SiNWs) sensor requires both the fabrication of nanoscale diameter wires and standard integration to CMOS process. There are three objectives that applied to this research work. The first objective is to design masks using GDSII Ed...
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| מחבר תאגידי: | |
| פורמט: | Thesis ספר |
| שפה: | English |
| יצא לאור: |
Perlis, Malaysia
School of Microelectronic
2011.
|
| נושאים: | |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!