Silicon nanowire sensor from electron beam litography : design, fabrication and characterization /
This study demonstrates the process development of silicon nanowires (SiNWs) sensor requires both the fabrication of nanoscale diameter wires and standard integration to CMOS process. There are three objectives that applied to this research work. The first objective is to design masks using GDSII Ed...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Tác giả của công ty: | |
| Định dạng: | Luận văn Sách |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
Perlis, Malaysia
School of Microelectronic
2011.
|
| Những chủ đề: | |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!