Silicon nanowire sensor from electron beam litography : design, fabrication and characterization /
This study demonstrates the process development of silicon nanowires (SiNWs) sensor requires both the fabrication of nanoscale diameter wires and standard integration to CMOS process. There are three objectives that applied to this research work. The first objective is to design masks using GDSII Ed...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلف مشترك: | |
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
Perlis, Malaysia
School of Microelectronic
2011.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
النظام قيد الصيانة
نظام إدارة مكتبتنا قيد الصيانة حاليا.
معلومات إتاحة المواد والمقتنيات غير متاحة حاليا. الرجاء قبول اعتذارنا عن أي إزعاج قد يسببه ذلك والاتصال بنا للمزيد من المساعدة: