Silicon nanowire sensor from electron beam litography : design, fabrication and characterization /
This study demonstrates the process development of silicon nanowires (SiNWs) sensor requires both the fabrication of nanoscale diameter wires and standard integration to CMOS process. There are three objectives that applied to this research work. The first objective is to design masks using GDSII Ed...
Guardat en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Autor corporatiu: | |
| Format: | Thesis Llibre |
| Idioma: | English |
| Publicat: |
Perlis, Malaysia
School of Microelectronic
2011.
|
| Matèries: | |
| Etiquetes: |
Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|
Sistema fora de servei per tasques de manteniment
El catàleg està fora de servei temporalment per tasques de manteniment
La informació de disponibilitat dels exemplars no està disponible en aquests moments, sentim les inconveniències: