Fabrication and characterization of engineered tunnel barrier for nonvolatile memory application /

This study focuses on the Variable Oxide Thickness (VARIOT) approach of engineered tunnel barrier where the asymmetrical VARIOT structure with the effective oxide thickness (EOT) ranging from 6 nm to 14 nm were studied in the form of MOS capacitor structure.

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Zarimawaty Zailan (Συγγραφέας)
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: Universiti Malaysia Perlis
Μορφή: Thesis Βιβλίο
Γλώσσα:English
Έκδοση: Perlis, Malaysia School of Microelectronic Engineering 2012.
Θέματα:
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
Περιγραφή
Περίληψη:This study focuses on the Variable Oxide Thickness (VARIOT) approach of engineered tunnel barrier where the asymmetrical VARIOT structure with the effective oxide thickness (EOT) ranging from 6 nm to 14 nm were studied in the form of MOS capacitor structure.
Φυσική περιγραφή:100 pages illustrations 30 cm.
Βιβλιογραφία:Includes bibliographical references (pages 98-100).