Fabrication and characterization of engineered tunnel barrier for nonvolatile memory application /

This study focuses on the Variable Oxide Thickness (VARIOT) approach of engineered tunnel barrier where the asymmetrical VARIOT structure with the effective oxide thickness (EOT) ranging from 6 nm to 14 nm were studied in the form of MOS capacitor structure.

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Zarimawaty Zailan (Author)
সংস্থা লেখক: Universiti Malaysia Perlis
বিন্যাস: গবেষণাপত্র গ্রন্থ
ভাষা:English
প্রকাশিত: Perlis, Malaysia School of Microelectronic Engineering 2012.
বিষয়গুলি:
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
বিবরন
সংক্ষিপ্ত:This study focuses on the Variable Oxide Thickness (VARIOT) approach of engineered tunnel barrier where the asymmetrical VARIOT structure with the effective oxide thickness (EOT) ranging from 6 nm to 14 nm were studied in the form of MOS capacitor structure.
দৈহিক বর্ননা:100 pages illustrations 30 cm.
গ্রন্থ-পঞ্জী:Includes bibliographical references (pages 98-100).