Fabrication and characterization of engineered tunnel barrier for nonvolatile memory application /
This study focuses on the Variable Oxide Thickness (VARIOT) approach of engineered tunnel barrier where the asymmetrical VARIOT structure with the effective oxide thickness (EOT) ranging from 6 nm to 14 nm were studied in the form of MOS capacitor structure.
Zapisane w:
| 1. autor: | |
|---|---|
| Korporacja: | |
| Format: | Praca dyplomowa Książka |
| Język: | English |
| Wydane: |
Perlis, Malaysia
School of Microelectronic Engineering
2012.
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
Z powodu przeglądu technicznego niedostępne
Niestety! Z powodu przeglądu technicznego system jest niedostępny.
Niestety! Status dostępu obecnie nie stoi do dyspozycji - skontaktuj się z biblioteką.