Study of aspect ratio performance on silicon oxide etching using profiler meter, AFM and SEM
The scope of this final year project is to get a high aspect ratio for etch profile using wet etching technique. After etching process using Buffered Oxide Etch (BOE), the structure profile had to viewed under profiler meter, Atomic Forces Microscopy (AFM) Scanning Electron Microscope (SEM).
Պահպանված է:
Հիմնական հեղինակ: | |
---|---|
Ձևաչափ: | Էլեկտրոնային Ծրագրային ապահովում Շտեմարան |
Լեզու: | English |
Խորագրեր: | |
Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
Ամփոփում: | The scope of this final year project is to get a high aspect ratio for etch profile using wet etching technique. After etching process using Buffered Oxide Etch (BOE), the structure profile had to viewed under profiler meter, Atomic Forces Microscopy (AFM) Scanning Electron Microscope (SEM). |
---|---|
Նյութի նկարագրություն: | Final Year Project |
Ֆիզիկական նկարագրություն: | 1 CD-ROM 4 3/4 in. |