Study of aspect ratio performance on silicon oxide etching using profiler meter, AFM and SEM
The scope of this final year project is to get a high aspect ratio for etch profile using wet etching technique. After etching process using Buffered Oxide Etch (BOE), the structure profile had to viewed under profiler meter, Atomic Forces Microscopy (AFM) Scanning Electron Microscope (SEM).
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Nur Syuhada Md. Desa (Tác giả) |
---|---|
Định dạng: | Điện tử Phần mềm Cơ sở dữ liệu |
Ngôn ngữ: | English |
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Những quyển sách tương tự
Những quyển sách tương tự
-
Reactive ion etching (RIE) etched wet-silica-on-silicon analysis for fluidwettability
Bằng: Noor Aini Hamimah Abd. Rahim -
Study of the effect of different gases parameter in dry etching process on etch rate profile
Bằng: Zaharah Mohamad -
MIMOS Semiconductor (M) Sdn. Bhd. (MySem)
Bằng: Mohammad Hifzan Saibudin -
Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
Bằng: Mohamad Fadzli Ali -
Nanostructure formation using sem based e-beam lithography (EBL) technique : buffered oxide etch (BOE) profile
Bằng: Nur Nazihah Halemi