Simulation on parameter and characteristics extraction between two simulation packages (synopsys and pspice)
The objective is of this project is to match these two program packages in the area of parameter and characteristics extraction. First, an initial device of NMOS of gate length of 1.5¡Łm with different values of substrate concentration and gate oxide thickness is created by using TSUPREM-4 from Syno...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակ: | |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Էլեկտրոնային Ծրագրային ապահովում Շտեմարան |
| Լեզու: | English |
| Խորագրեր: | |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
| Ամփոփում: | The objective is of this project is to match these two program packages in the area of parameter and characteristics extraction. First, an initial device of NMOS of gate length of 1.5¡Łm with different values of substrate concentration and gate oxide thickness is created by using TSUPREM-4 from Synopsys. The extraction of the parameter and electrical characteristics is then carried out in Medici. Next, using PSpice TCAD tool, the circuit level for NMOS is designed and electrical characteristics are obtained. |
|---|---|
| Նյութի նկարագրություն: | Final Year Project |
| Ֆիզիկական նկարագրություն: | 1 CD-ROM 4 3/4 in. |