Optimization of nitride deposition process using Taguchi method

This final year project is mainly focused on obtaining the most optimize parameters of PECVD Si3N4 deposition process by using DOE. The Taguchi method of DOE will be used in performing optimization of the deposition process. Raw data for the deposition process is provided by the deposition module fr...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Low, Zen Shiang (Tác giả)
Định dạng: Điện tử Phần mềm Cơ sở dữ liệu
Ngôn ngữ:English
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Miêu tả
Tóm tắt:This final year project is mainly focused on obtaining the most optimize parameters of PECVD Si3N4 deposition process by using DOE. The Taguchi method of DOE will be used in performing optimization of the deposition process. Raw data for the deposition process is provided by the deposition module from the resources of [a]-[e]. The Taguchi method is a simple and convenient way to explore the process window as it can minimize the number and cost of experiments.
Mô tả sách:Final Year Project
Mô tả vật lý:1 CD-ROM 4 3/4 in.