The effect of power density on the surface layer of amorphous thin film
The purpose of this project is to fabricate an amorphous silicon thin film with different values of power density of 10W, 15W, 20W and 25W.
Збережено в:
Автор: | Ahmad Fadzil Izaharuddin (Автор) |
---|---|
Формат: | Електронний ресурс Програмне забезпечення База даних |
Мова: | English |
Предмети: | |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Схожі ресурси
-
The effect of annealing temperature and dopant concentration on the surface layer of vanadium doped barium strontium titanate (BVST) thin film
за авторством: Siti Norhaida Abdul Rahman -
Effect of annealing temperature and dopant concertration on the surface layer of indium doped Ba0.5Sr0.5Ti03 thin film
за авторством: Noor Khairul Anuar Johari -
BTST thin film sensor application : heat indicator
за авторством: Nur Faizah Jaafar -
Trans -Dist Engineering Sdn. Bhd
за авторством: Ahmad Fadzil Izaharuddin -
Structural & electrical characterization of Ba(0.5)S(0.5)Tio3 thin films in effect annealing temperature
за авторством: Ramadhan Adnan