Izny Atikah Ahmad Fahmi. Simulation of 0.35 Um NMOS process based on UniMAP Cleanroom facilities.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Izny Atikah Ahmad Fahmi. Simulation of 0.35 Um NMOS Process Based on UniMAP Cleanroom Facilities.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Izny Atikah Ahmad Fahmi. Simulation of 0.35 Um NMOS Process Based on UniMAP Cleanroom Facilities.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.