Simulation of 0.35 Um NMOS process based on UniMAP Cleanroom facilities

The goal of this project is to simulate a 0.35um negative-metal-oxide-semiconductor (NMOS) process based on UniMAP cleanroom facilities and to study the feasibility of adopting this process using cleanroom facilities. The result of the simulation will be compared with UC Berkeley 0.35um process desi...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Izny Atikah Ahmad Fahmi (Autor)
Format: Elektroniczne Oprogramowanie Baza danych
Język:English
Hasła przedmiotowe:
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!