Simulation of 0.35 Um NMOS process based on UniMAP Cleanroom facilities

The goal of this project is to simulate a 0.35um negative-metal-oxide-semiconductor (NMOS) process based on UniMAP cleanroom facilities and to study the feasibility of adopting this process using cleanroom facilities. The result of the simulation will be compared with UC Berkeley 0.35um process desi...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Izny Atikah Ahmad Fahmi (Автор)
Формат: Электронный ресурс Программное обеспечение База данных
Язык:English
Предметы:
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!