Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Wedi'i Gadw mewn:
| Prif Awdur: | |
|---|---|
| Fformat: | Electronig Meddalwedd Cronfa ddata |
| Iaith: | English |
| Pynciau: | |
| Tagiau: |
Ychwanegu Tag
Dim Tagiau, Byddwch y cyntaf i dagio'r cofnod hwn!
|
Gwaith Cynnal a Chadw ar y Gweill
Rydym yn gwneud gwaith cynnal a chadw ar ein System Rheoli'r Llyfrgell ar hyn o bryd
Nid yw gwybodaeth am y stoc nac am argaeledd yr eitemau ar gael ar hyn o bryd. Rydym yn ymddiheuro am unrhyw anhwylustod. Cysylltwch â ni am ragor o wybodaeth.