Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Electrónico Software Base de Datos |
| Lenguaje: | English |
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Sistema en mantenimiento
Nuestro Sistema de Biblioteca se encuentra en mantenimiento.
En este momento no hay información de existencias y disponibilidad de copias. Por favor acepte nuestras disculpas por los inconvenientes causados, contáctenos para una mayor información.