Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Gorde:
| Egile nagusia: | |
|---|---|
| Formatua: | Baliabide elektronikoa Software Datu-basea |
| Hizkuntza: | English |
| Gaiak: | |
| Etiketak: |
Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
|
Sistema mantentze lanetan ari da
Mantentze lanak direla eta, gure Liburutegia Kudeatzeko Sistema ez dago erabilgarri.
Item-en erabilgarritasunari buruzko informazioa ez dabil momento honetan. Mesedez, barkatu eragozpenak. Nahi baduzu, kontakta dezakezu zerbitzu teknikoarekin laguntza gehiagorako: