Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Gardado en:
| Autor Principal: | |
|---|---|
| Formato: | Electrónico Software Base de Datos |
| Idioma: | English |
| Subjects: | |
| Tags: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
Sistema en mantemento
O noso Sistema de Biblioteca atópase en mantemento
Neste momento non hai información de existencias e dispoñibilidade de copias. Por favor acepte as nosas desculpas polos inconvenientes causados, contacte connosco para unha maior información