Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Zapisane w:
| 1. autor: | |
|---|---|
| Format: | Elektroniczne Oprogramowanie Baza danych |
| Język: | English |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
Z powodu przeglądu technicznego niedostępne
Niestety! Z powodu przeglądu technicznego system jest niedostępny.
Niestety! Status dostępu obecnie nie stoi do dyspozycji - skontaktuj się z biblioteką.