Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Электронный ресурс Программное обеспечение База данных |
| Язык: | English |
| Предметы: | |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Система на техническом обслуживании
Система поддержки библиотеки сейчас на техническом обслуживаении.
Задолженности и информация по доступности документа сейчас недоступна. Наши извенения за неудобства и обратитесь за советом: