Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Kaydedildi:
| Yazar: | |
|---|---|
| Materyal Türü: | Elektronik Yazılım Veritabanı |
| Dil: | English |
| Konular: | |
| Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|
Sistem Bakımda
Kütüphane sistemimiz bakımda.
Kopya kayıtları ve kayıların durum bilgileri şu anda erişilebilir değil. Bunun için özür dileriz, daha fazla yardım için bizimle irtibata geçebilirsiniz: