Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Збережено в:
| Автор: | |
|---|---|
| Формат: | Електронний ресурс Програмне забезпечення База даних |
| Мова: | English |
| Предмети: | |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Технічні роботи в бібліотечній системі
Наразі у нашій бібліотечній системі ведуться технічні роботи.
Замовлення та інформація про доступність примірників наразі недоступна. Приносимо наші вибачення. Зверніться до Бібліотеки за допомогою: