Mohamad Fadzli Ali. Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Mohamad Fadzli Ali. Study of the Thickness of the Silicon Dioxide on Wafer Using Dry and Wet Oxidation Method.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Mohamad Fadzli Ali. Study of the Thickness of the Silicon Dioxide on Wafer Using Dry and Wet Oxidation Method.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.