Mohamad Fadzli Ali. Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Mohamad Fadzli Ali. Study of the Thickness of the Silicon Dioxide on Wafer Using Dry and Wet Oxidation Method.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Mohamad Fadzli Ali. Study of the Thickness of the Silicon Dioxide on Wafer Using Dry and Wet Oxidation Method.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.