Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
This final year project focused on four goals: to study the dry and wet oxidation thickness, to grow a thin layer of silicon dioxide (SiO2) on Si wafer, to determine the parameter required for thickness needed, and to compare with the simulation and theoretical thickness to achieve the most accurate...
Guardat en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Format: | Electrònic Software Base de dades |
| Idioma: | English |
| Matèries: | |
| Etiquetes: |
Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|
Sistema fora de servei per tasques de manteniment
El catàleg està fora de servei temporalment per tasques de manteniment
La informació de disponibilitat dels exemplars no està disponible en aquests moments, sentim les inconveniències: