Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
This final year project focused on four goals: to study the dry and wet oxidation thickness, to grow a thin layer of silicon dioxide (SiO2) on Si wafer, to determine the parameter required for thickness needed, and to compare with the simulation and theoretical thickness to achieve the most accurate...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Médium: | Elektronický zdroj Program Databáze |
| Jazyk: | English |
| Témata: | |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
Právě probíhá údržba systému
Právě probíhá údržba knihovního systému.
V současné době nejsou dostupné informace o dostupnosti. Omlouváme se Vám za nepříjemnosti. Neváhejte nás kontaktovat a my se pokusíme zjistit požadované informace jinou cestou: