Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
This final year project focused on four goals: to study the dry and wet oxidation thickness, to grow a thin layer of silicon dioxide (SiO2) on Si wafer, to determine the parameter required for thickness needed, and to compare with the simulation and theoretical thickness to achieve the most accurate...
Gorde:
| Egile nagusia: | |
|---|---|
| Formatua: | Baliabide elektronikoa Software Datu-basea |
| Hizkuntza: | English |
| Gaiak: | |
| Etiketak: |
Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
|
Sistema mantentze lanetan ari da
Mantentze lanak direla eta, gure Liburutegia Kudeatzeko Sistema ez dago erabilgarri.
Item-en erabilgarritasunari buruzko informazioa ez dabil momento honetan. Mesedez, barkatu eragozpenak. Nahi baduzu, kontakta dezakezu zerbitzu teknikoarekin laguntza gehiagorako: