Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
This final year project focused on four goals: to study the dry and wet oxidation thickness, to grow a thin layer of silicon dioxide (SiO2) on Si wafer, to determine the parameter required for thickness needed, and to compare with the simulation and theoretical thickness to achieve the most accurate...
Tallennettuna:
| Päätekijä: | |
|---|---|
| Aineistotyyppi: | Elektroninen Tietokoneohjelma Tietokanta |
| Kieli: | English |
| Aiheet: | |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
Järjestelmä pois käytöstä
Kirjastojärjestelmä on juuri nyt pois käytöstä.
Saatavuustiedot eivät ole juuri nyt käytettävissä. Pahoittelemme tästä aiheutunutta vaivaa. Voitte ottaa yhteyttä: