Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
This final year project focused on four goals: to study the dry and wet oxidation thickness, to grow a thin layer of silicon dioxide (SiO2) on Si wafer, to determine the parameter required for thickness needed, and to compare with the simulation and theoretical thickness to achieve the most accurate...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակ: | |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Էլեկտրոնային Ծրագրային ապահովում Շտեմարան |
| Լեզու: | English |
| Խորագրեր: | |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
Համակարգը սպասարկվում է
Մեր գրադարանի կառավարման համակարգը ներկայումս գտնվում է սպասարկման փուլում:
Պահումների և նյութերի առկայության մասին տեղեկատվությունը ներկայումս անհասանելի է: Խնդրում ենք ընդունել մեր ներողամտությունը պատճառած անհարմարության համար և կապվեք մեզ հետ հետագա օգնության համար.