Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
This final year project focused on four goals: to study the dry and wet oxidation thickness, to grow a thin layer of silicon dioxide (SiO2) on Si wafer, to determine the parameter required for thickness needed, and to compare with the simulation and theoretical thickness to achieve the most accurate...
Bewaard in:
| Hoofdauteur: | |
|---|---|
| Formaat: | Elektronisch Software Databank |
| Taal: | English |
| Onderwerpen: | |
| Tags: |
Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
|
Het systeem is offline vanwege onderhoudswerken
Ons bibliotheek beheerssysteem is momenteel in onderhoud.
Reserveringen en beschikbaarheid van items momenteel niet beschikbaar. Met onze excuses. Contacteer ons voor hulp: