Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
This final year project focused on four goals: to study the dry and wet oxidation thickness, to grow a thin layer of silicon dioxide (SiO2) on Si wafer, to determine the parameter required for thickness needed, and to compare with the simulation and theoretical thickness to achieve the most accurate...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Электронный ресурс Программное обеспечение База данных |
| Язык: | English |
| Предметы: | |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Система на техническом обслуживании
Система поддержки библиотеки сейчас на техническом обслуживаении.
Задолженности и информация по доступности документа сейчас недоступна. Наши извенения за неудобства и обратитесь за советом: