Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
This final year project focused on four goals: to study the dry and wet oxidation thickness, to grow a thin layer of silicon dioxide (SiO2) on Si wafer, to determine the parameter required for thickness needed, and to compare with the simulation and theoretical thickness to achieve the most accurate...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Điện tử Phần mềm Cơ sở dữ liệu |
| Ngôn ngữ: | English |
| Những chủ đề: | |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Hệ thống đang được bảo trì
Hệ thống quản lý thư viện của chúng tôi hiện đang được bảo trì.
Thông tin về trạng thái tài khoản và mục khả dụng hiện không khả dụng. Vui lòng chấp nhận lời xin lỗi của chúng tôi vì bất kỳ sự bất tiện nào mà điều này có thể gây ra và liên hệ với chúng tôi để được hỗ trợ thêm: