Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
This final year project focused on four goals: to study the dry and wet oxidation thickness, to grow a thin layer of silicon dioxide (SiO2) on Si wafer, to determine the parameter required for thickness needed, and to compare with the simulation and theoretical thickness to achieve the most accurate...
Sparad:
| Huvudupphovsman: | |
|---|---|
| Materialtyp: | Elektronisk Datorprogram Databas |
| Språk: | English |
| Ämnen: | |
| Taggar: |
Lägg till en tagg
Inga taggar, Lägg till första taggen!
|
Systemet under underhåll
Bibliotekssystemet är närvarande under underhåll.
Tillgänglighetsinformation kan inte visas för tillfället. Vi beklagar störningen. Kontakta oss om problemet kvarstår: