Study on diffusivity of gallium dopant in silicon using spin on dopant (SOD) technique
In this final year project the diffusivity of gallium using spin on dopant technique is studied. The study includes mathematical calculation, computer simulation, fabrication and characterization of the diffusivity criteria such as surface concentration, dopant profiling and resistivity.
Uloženo v:
Hlavní autor: | |
---|---|
Médium: | Elektronický zdroj Program Databáze |
Jazyk: | English |
Témata: | |
Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!