Study on diffusivity of gallium dopant in silicon using spin on dopant (SOD) technique

In this final year project the diffusivity of gallium using spin on dopant technique is studied. The study includes mathematical calculation, computer simulation, fabrication and characterization of the diffusivity criteria such as surface concentration, dopant profiling and resistivity.

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Mohd Rosydi Zakaria (Autor)
Format: Elektroniczne Oprogramowanie Baza danych
Język:English
Hasła przedmiotowe:
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!