Study on diffusivity of gallium dopant in silicon using spin on dopant (SOD) technique
In this final year project the diffusivity of gallium using spin on dopant technique is studied. The study includes mathematical calculation, computer simulation, fabrication and characterization of the diffusivity criteria such as surface concentration, dopant profiling and resistivity.
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Электронный ресурс Программное обеспечение База данных |
| Язык: | English |
| Предметы: | |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Ваш комментарий будет первым!