Study on diffusivity of gallium dopant in silicon using spin on dopant (SOD) technique
In this final year project the diffusivity of gallium using spin on dopant technique is studied. The study includes mathematical calculation, computer simulation, fabrication and characterization of the diffusivity criteria such as surface concentration, dopant profiling and resistivity.
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Điện tử Phần mềm Cơ sở dữ liệu |
| Ngôn ngữ: | English |
| Những chủ đề: | |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!