Study on diffusivity of gallium dopant in silicon using spin on dopant (SOD) technique

In this final year project the diffusivity of gallium using spin on dopant technique is studied. The study includes mathematical calculation, computer simulation, fabrication and characterization of the diffusivity criteria such as surface concentration, dopant profiling and resistivity.

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Mohd Rosydi Zakaria (Autor)
Médium: Elektronický zdroj Program Databáze
Jazyk:English
Témata:
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!

Právě probíhá údržba systému

Právě probíhá údržba knihovního systému.

V současné době nejsou dostupné informace o dostupnosti. Omlouváme se Vám za nepříjemnosti. Neváhejte nás kontaktovat a my se pokusíme zjistit požadované informace jinou cestou:

david@pintaran.my