Study on diffusivity of gallium dopant in silicon using spin on dopant (SOD) technique
In this final year project the diffusivity of gallium using spin on dopant technique is studied. The study includes mathematical calculation, computer simulation, fabrication and characterization of the diffusivity criteria such as surface concentration, dopant profiling and resistivity.
Tallennettuna:
| Päätekijä: | |
|---|---|
| Aineistotyyppi: | Elektroninen Tietokoneohjelma Tietokanta |
| Kieli: | English |
| Aiheet: | |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
Järjestelmä pois käytöstä
Kirjastojärjestelmä on juuri nyt pois käytöstä.
Saatavuustiedot eivät ole juuri nyt käytettävissä. Pahoittelemme tästä aiheutunutta vaivaa. Voitte ottaa yhteyttä: