Study on diffusivity of gallium dopant in silicon using spin on dopant (SOD) technique
In this final year project the diffusivity of gallium using spin on dopant technique is studied. The study includes mathematical calculation, computer simulation, fabrication and characterization of the diffusivity criteria such as surface concentration, dopant profiling and resistivity.
Zapisane w:
| 1. autor: | |
|---|---|
| Format: | Elektroniczne Oprogramowanie Baza danych |
| Język: | English |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
Z powodu przeglądu technicznego niedostępne
Niestety! Z powodu przeglądu technicznego system jest niedostępny.
Niestety! Status dostępu obecnie nie stoi do dyspozycji - skontaktuj się z biblioteką.