Study of the temperature effect on thickness and surface roughness of Si02
The aims of this final year project is to study the oxidation temperature effect over the oxidation process, to study the reason why the temperature 1100℗ðC which is commonly used for the oxidation process, and to study and find the suitable time to get the optimum result for the oxidation process....
সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: | Mohd Azdi Asis (Author) |
---|---|
বিন্যাস: | বৈদ্যুতিক সফটওয়্যার উপাত্তকোষ |
ভাষা: | English |
বিষয়গুলি: | |
ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Theoretical study, simulation & fabrication on dry oxidation in terms of Si02 layer thinckness, resistivity & surface roughness
অনুযায়ী: Mohd Adam Alias -
Method of measurement of LTCC metallization thickness
অনুযায়ী: Lee, Soo Khiang -
Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
অনুযায়ী: Mohamad Fadzli Ali -
A study on surface roughness and morphology of Gallium Oxide Doped Ba0.5 Sr0.5 Ti03 thin film
অনুযায়ী: Fadrul Hisham Mohd Fauzi -
Temperature controller with a digital temperature display
অনুযায়ী: Mohd Hafidz Rosli