Study of the temperature effect on thickness and surface roughness of Si02
The aims of this final year project is to study the oxidation temperature effect over the oxidation process, to study the reason why the temperature 1100℗ðC which is commonly used for the oxidation process, and to study and find the suitable time to get the optimum result for the oxidation process....
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Mohd Azdi Asis (Tác giả) |
---|---|
Định dạng: | Điện tử Phần mềm Cơ sở dữ liệu |
Ngôn ngữ: | English |
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Những quyển sách tương tự
Những quyển sách tương tự
-
Theoretical study, simulation & fabrication on dry oxidation in terms of Si02 layer thinckness, resistivity & surface roughness
Bằng: Mohd Adam Alias -
Method of measurement of LTCC metallization thickness
Bằng: Lee, Soo Khiang -
Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
Bằng: Mohamad Fadzli Ali -
A study on surface roughness and morphology of Gallium Oxide Doped Ba0.5 Sr0.5 Ti03 thin film
Bằng: Fadrul Hisham Mohd Fauzi -
Temperature controller with a digital temperature display
Bằng: Mohd Hafidz Rosli