Study of the effect of different gases parameter in dry etching process on etch rate profile
The principal focus of this project is dry etching technique by using the Inductively Couple Plasma -Reactive Ion Etching (ICP-RIE). This final year project is about to understand and control the equipment for dry etches process. The equipment in dry etch process is inductively couple plasma- reacti...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| বিন্যাস: | বৈদ্যুতিক সফটওয়্যার উপাত্তকোষ |
| ভাষা: | English |
| বিষয়গুলি: | |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
| সংক্ষিপ্ত: | The principal focus of this project is dry etching technique by using the Inductively Couple Plasma -Reactive Ion Etching (ICP-RIE). This final year project is about to understand and control the equipment for dry etches process. The equipment in dry etch process is inductively couple plasma- reactive ion etching (ICP-RIE). |
|---|---|
| উপাদানের বিবরণ: | Final Year Project |
| দৈহিক বর্ননা: | 1 CD-ROM 4 3/4 in. |