Design and optimization of 22 nm NMOS device high-k/metal gate with bi-layer of graphene /

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Suhail Firas Rosli (Author)
Format: Software eBook
Language:English
Published: 2018.
Subjects:
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
LEADER 01769pam a2200457 i 4500
001 112621
003 UTeM
005 20210218095204.0
007 co ag ||||||||
008 190424s2018 my ||||| |||| 00| | eng d
999 |c 112621  |d 112621 
020 |c gift 
040 |a UTeM  |b eng  |c UTeM  |e rda 
090 0 0 |a TK7872  |b .S95 2018 
100 0 |a Suhail Firas Rosli,  |e author.  |9 1179 
245 1 0 |a Design and optimization of 22 nm NMOS device high-k/metal gate with bi-layer of graphene /  |c Suhail Firas Rosli. 
264 1 |c 2018. 
300 |a xii, 73 pages :  |b colour illustrations, charts, photographs ;  |c 30 cm +  |e 1 computer disc (12 cm) 
336 |a text  |2 rdacontent 
336 |a still image  |2 rdacontent 
337 |a unmediated   |2 rdamedia 
338 |a volume  |2 rdacarrier 
347 |a text file   |b PDF  |d 1.62 MB  |2 rda 
500 |a Accompanied by CD : CDR 18830. 
504 |a Reference : pages 55-59. 
650 0 |a  Dielectric devices.  |9 3878 
650 0 |a Metal oxide semiconductors   |x Materials.  |9 3879 
650 0 |a Gate array circuits   |x Materials.  |9 3880 
650 0 |a Dielectric devices.  |9 3881 
710 2 |a Universiti Teknikal Malaysia Melaka,  |e issuing body.  |9 797 
720 |a Dr. Afifah Maheran Abdul Hamid  
790 |a Faculty of Electronic and Computer Engineering 
791 |a Bachelor of Electronic Engineering 
792 |a 2018 
942 |2 lcc  |c UGP - A  |k a 
996 |a BENG 
997 |a FKEKK 
998 0 0 |a mez/100519 
998 0 0 |a mrd/180221 
952 |0 0  |1 0  |2 lcc  |4 0  |6 TK7872 S95 02018  |7 0  |9 138880  |a PLHKI  |b PLHKI  |c 1  |d 2019-04-24  |e UTeM  |o TK7872 .S95 2018  |p 87500305  |r 2019-04-24  |w 2019-04-24  |y UGP - A 
952 |0 0  |1 0  |2 lcc  |4 0  |6 CDR18830  |7 0  |9 139859  |a MEDIA  |b MEDIA  |c 5  |d 2019-05-09  |e UTeM  |o CDR 18830  |p 87500543  |r 2019-05-09  |w 2019-05-09  |y CDR - MEA