The optimization of P-i-N power switching diode in term of reverse breakdown voltage and electrostatic disharge performance/

The research scope in this research is mainly divided into four main stages. The initial stage of this research includes identifying the existing problem of both low range ( < 300 V ) and high range ( > 300 V ) voltage power switching diode. Second stage of the research scope i...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: See, Jian Hao author
Համատեղ հեղինակ: Universiti Malaysia Perlis
Ձևաչափ: Թեզիս Գիրք
Լեզու:English
Հրապարակվել է: Perlis, Malaysia Institute of Nano Electronic Engineering 2017
Խորագրեր:
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համակարգը սպասարկվում է

Մեր գրադարանի կառավարման համակարգը ներկայումս գտնվում է սպասարկման փուլում:

Պահումների և նյութերի առկայության մասին տեղեկատվությունը ներկայումս անհասանելի է: Խնդրում ենք ընդունել մեր ներողամտությունը պատճառած անհարմարության համար և կապվեք մեզ հետ հետագա օգնության համար.

david@pintaran.my