The optimization of P-i-N power switching diode in term of reverse breakdown voltage and electrostatic disharge performance/

The research scope in this research is mainly divided into four main stages. The initial stage of this research includes identifying the existing problem of both low range ( < 300 V ) and high range ( > 300 V ) voltage power switching diode. Second stage of the research scope i...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: See, Jian Hao author
Korporacja: Universiti Malaysia Perlis
Format: Praca dyplomowa Książka
Język:English
Wydane: Perlis, Malaysia Institute of Nano Electronic Engineering 2017
Hasła przedmiotowe:
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Z powodu przeglądu technicznego niedostępne

Niestety! Z powodu przeglądu technicznego system jest niedostępny.

Niestety! Status dostępu obecnie nie stoi do dyspozycji - skontaktuj się z biblioteką.

david@pintaran.my