Fundamentals of nanoscaled field effect transistors /

Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors gives comprehensive coverage of the fundamental physical principles and theory behind nanoscale transistors. The specific issues that arise for nanoscale MOSFETs, such as quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization, are fully expl...

Popoln opis

Shranjeno v:
Bibliografske podrobnosti
Glavni avtor: Chaudhry, Amit (Author)
Korporativna značnica: SpringerLink (Online service)
Format: eKnjiga
Jezik:English
Izdano: New York, NY Springer New York 2013.
Teme:
Online dostop:Click here to view the full text content
Oznake: Označite
Brez oznak, prvi označite!

Vzdrževanje sistema

Trenutno vzdržujemo knjižnični informacijski sistem.

Informacije o zalogi so trenutno nedostopne. Opravičujemo se za nevšečnosti in vas prosimo da nas ponovno kontaktirate:

david@pintaran.my

Internet

Click here to view the full text content